张嘉炜,1988年12月出生,教授、博士生导师
教育和工作经历:
2006年9月-2010年7月, 上海交通大学,物理系,理学学士
2010年9月-2011年12月,英国曼彻斯特大学,光子科学所,理学硕士
2012年4月-2016年7月,英国曼彻斯特大学,微电子与纳米结构专业,哲学博士
2016年8月-2019年8月,英国曼彻斯特大学,电子电气工程系与英国国家石墨烯中心,博士后研究员
2019年9月-至今,山东大学微电子学院,山东省专家学者青年专家,齐鲁青年学者,教授、博士生导师
研究方向:
1. 基于氧化物半导体的薄膜三极管、高频器件、新型肖特基器件、以及互补型逻辑电路。
2. 基于二维材料的太赫兹探测器、发生器、与能源采集器。
科研项目:
山东大学齐鲁青年学者启动经费
山东省专家学者青年专家项目
招生招聘:
本课题组每年计划招收1-2名博士研究生,2-3名硕士研究生,欢迎具有微电子、物理、材料、化学等相关背景的同学报考。课题组长期与国内外顶尖高校/科研院所合作,优秀者可推荐加盟并进一步深造。有意加盟本课题组的同学请发送简历、成绩单以及科研成果等证明至jiawei.zhang@sdu.edu.cn。
代表性论文和专利:
目前发表论文近40篇,其中包括Nature Communications,PNAS,Nano Letters,APL,IEEE EDL等国际主流期刊。
代表性论文如下:
1. Zhang, J., Y. Li, B. Zhang, H. Wang, Q. Xin, and A. Song, Flexible indium-gallium-zinc-oxide Schottky diode operating beyond 2.45 GHz. Nature Communications, 2015. 6: p. 7561 DOI: 10.1038/ncomms8561.
2. Zhang, J., J. Wilson, G. Auton, Y. Wang, M. Xu, Q. Xin, and A. Song, Extremely high-gain source-gated transistors. Proceedings of the National Academy of Sciences, 2019: p. 201820756 DOI: 10.1073/pnas.1820756116.
3. Zhang, J., J. Brownless, and A. Song, Graphene bridge rectifier based on self-switching diode arrays. Nanotechnology, 2019. 30(36): p. 364004 DOI: 10.1088/1361-6528/ab25fd.
4. Zhang, J., L. Zhang, X. Ma, J. Wilson, J. Jin, L. Du, Q. Xin, and A. Song, Low-frequency noise properties in Pt-indium gallium zinc oxide Schottky diodes. Applied Physics Letters, 2015. 107(9): p. 093505 DOI: 10.1063/1.4930019.
5. Zhang, J., X. Kong, J. Yang, Y. Li, J. Wilson, J. Liu, Q. Xin, Q. Wang, and A. Song, Analysis of carrier transport and band tail states in p-type tin monoxide thin-film transistors by temperature dependent characteristics. Applied Physics Letters, 2016. 108(26): p. 263503 DOI: 10.1063/1.4955124.
6. Zhang, J., H. Wang, J. Wilson, X. Ma, J. Jin, and A. Song, Room Temperature Processed Ultrahigh-Frequency Indium-Gallium–Zinc-Oxide Schottky Diode. IEEE Electron Device Letters, 2016. 37(4): p. 389-392 DOI: 10.1109/led.2016.2535904.
7. Zhang, J., J. Yang, Y. Li, J. Wilson, X. Ma, Q. Xin, and A. Song, High Performance Complementary Circuits Based on p-SnO and n-IGZO Thin-Film Transistors. Materials, 2017. 10(3) DOI: 10.3390/ma10030319.
8. Zhang, J., Q. Xin, and A. Song, High performance Schottky diodes based on indium-gallium-zinc-oxide. Journal of Vacuum Science & Technology A, 2016. 34(4): p. 04C101 DOI: 10.1116/1.4945102.
9. Auton, G., J. Zhang, R.K. Kumar, H. Wang, X. Zhang, Q. Wang, E. Hill, and A. Song, Graphene ballistic nano-rectifier with very high responsivity. Nature Communications, 2016. 7 DOI: 10.1038/ncomms11670.
10. Pan, K., Y. Fan, T. Leng, J. Li, Z. Xin, J. Zhang, L. Hao, J. Gallop, K.S. Novoselov, and Z. Hu, Sustainable production of highly conductive multilayer graphene ink for wireless connectivity and IoT applications. Nature Communications, 2018. 9(1): p. 5197 DOI: 10.1038/s41467-018-07632-w.
11. Auton, G., D.B. But, J. Zhang, E. Hill, D. Coquillat, C. Consejo, P. Nouvel, W. Knap, L. Varani, F. Teppe, J. Torres, and A. Song, Terahertz Detection and Imaging Using Graphene Ballistic Rectifiers. Nano Letters, 2017. 17(11): p. 7015-7020 DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b03625.
12. Wilson, J., J. Zhang, and A. Song, Analytical Theory of Thin-Film Schottky Diodes. ACS Applied Electronic Materials, 2019. 1(8): p. 1570-1580 DOI: 10.1021/acsaelm.9b00324.
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