陈延湖、男、1977.10、讲师、工学博士， 2000年于西安交通大学获学士学位，2003年于西安交通大学获硕士学位，2007年于中科院微电子研究所获博士学位，而后在山东大学任教至今

（1）化合物射频、微波器件及其单片微波集成电路技术

（2）硅、化合物功率电子器件及功率集成电路技术

（3）硅基CMOS射频集成电路设计

半导体物理及器件、模拟集成电路基础、高频电子线路、电路仿真技术及应用

论文：

Chen Yanhu，Shen Huajun，Wang Xiantai，et. al，“InGaP/GaAs HBT MIC Power Amplifer with Power Combining at X-Band”，Chinese Journal of Semiconductors，2008，2008,29(11):2098-2100. (EI)

Chen Yanhu，Shen Huajun，Chen Gaopeng，et.al，“InGaP/GaAs HBT MIC Power Amplifier  with Power Combining at C-Band”，ICSICT2008：1418-1420.（EI）

Y. Chen, H. Shen, X. Liu, et.al."A New layout Method to Improve the Thermal Stability of Multi-finger Power HBT",ASICON2009：344-346。(EI)

Chen Yanhu, Shen Huajun, Liu Xinyu, Xu Hui, Li Ling, Li Huijun. “Design consideration of the thermal and electro stability of multi-finger HBTs based on different device structures”, Journal of Semiconductors，2010，2010,31(10):104003. （EI)

Chen Yanhu, Shen Huajun, Liu Xinyu, Li Huijun, Xu Hui, Li Ling. “Intrinsic stability of an HBT based on a small signal equivalent circuit model”, Journal of Semiconductors，2010，2010,31(12)：124010. (EI)

Yanhu Chen, Huajun Shen, Xinyu Liu, Huijun Li，Shanggong Feng. “Design Consideration of Device Dimension and Sturcture of Power HBT Transisor”. IEEE ICSICT2010：1368-1370. (EI)

Shanggong Feng, Yanhu Chen, Huijun Li, Minghua Zhang. “A New Method to Improve the Unconditional Stability of InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor”.IEEE ASICON2011. 2011：772-774 (EI)

Chen Yanhu, Li Huijun. " Small signal parameter investigation on the intrinsic stability of HBT". IEEE ICMMT 2012:386-388.(EI)

专利：

发明专利：一种分析HBT器件高频稳定性的方法 申请号201010105495.6  时间：2010.2.04  授权号 ZL201010105495.6 授权时间：2012.03.07 授权单位：中华人民共和国国家知识产权局

发明专利：一种提高HBT高频稳定性的方法 申请号 201110318766.0 时间：2011.10.19 授权号 ZL201110318766.0 授权时间：2013.09.18 授权单位：中华人民共和国国家知识产权局

纵向项目：

主持国家自然科学基金项目：GaAs HBT高频功率晶体管无条件稳定特性的研究（2009-2011）

主持山东省自然科学基金项目：射频多发射极HBT器件的高热稳定性和高电稳定性协同研究（2011-2013）

横向项目：

主持企业合作项目：600V沟槽栅VDMOS半导体芯片器件结构与制程计算机辅助设计（2015-2017）

电子邮箱：chenyanhu@sdu.edu.cn