马瑾，男，理学博士，二级岗教授，中国电子学会高级会员，享受国务院政府特殊津贴。山东大学理论物理专业毕业后留校任教，后成为山东大学青年学术带头人、教育部骨干教师；1999年破格晋升为教授，2004年被聘为山东大学微电子学科关键岗教授。主要研究方向为氧化物宽带隙半导体材料与器件。主持“九五”国家重点科技攻关课题及国家自然科学基金项目10项，主持教育部科学技术研究重点项目和教育部高等学校骨干教师资助计划等项目。取得国家级和省部级科研成果10项，获得教育部提名国家自然科学一等奖、山东省自然科学三等奖和山东省科技进步三等奖各1项，获得国家发明专利9项，出版半导体科学与技术丛书《透明氧化物半导体》专著一部，发表SCI收录论文150余篇。
现主讲：《电动力学》课程
曾主讲：
硕士研究生课程：《薄膜物理》
博士研究生课程：《高等半导体物理》、《电子薄膜科学》
宽禁带半导体材料与器件
1. 主持国家自然科学基金项目：“钛酸锌和锡酸锌单晶薄膜的异质外延生长及性质研究”，2019年01月至 2022年 12月，直接费用： 60.00万元，项目批准号：51872169。
2. 主持国家自然科学基金项目：“二氧化钛外延单晶薄膜的制备及其特性研究”， 2015年1月-18年12月，总经费83 万，批准号：51472149。
3. 主持国家自然科学基金项目：“可调带隙铝-铟氧化物半导体薄膜材料的制备及性质研究”，2013年1月—2016年12月，总经费80万，项目批准号：51272138。
4. 主持国家自然科学基金项目：“Beta-氧化镓单晶薄膜的外延生长及 性质研究”，2011年1月—2013年12月， 39万，批准号：51072102。
5. 主持国家自然科学基金项目：“单晶氧化锡外延薄膜的制备及性能研究”，2009年1月—2011年12月， 35万，项目批准号：50872073。
6. 主持国家自然科学基金项目：“镓铟氧化物深紫外透明半导体薄膜的制备及特性研究”，2007年1月—2009年12月，32万，批准号：50672054。
7. 主持国家自然科学基金信息功能材料重大研究计划项目：“高质量氧化锡薄膜的制备及其发光性质的研究”，2005年1月—2007年12月，24万，编号：90401004。
8. 主持国家自然科学基金项目：“磁控溅射柔性衬底ZnO透明导”，1999年1月—2001年12月，12万，编号：69876025。
9、主持国家“九五”重点科技攻关项目；“新型超大规模集成电路清洗技术研究”，1998至2000年，270万，第二项目负责人，编号：97-778-01-01
1. Structural, electrical and optical properties of epitaxial Ta-doped titania films by MOCVD, Wei Zhao, Linan He, Xianjin Feng, Caina Luan and Jin Ma *, CrystEngComm, 20(2018), 5395–5401.
2. Effects of deposition temperature on the structural and optical properties of single crystalline rutile TiO2 films, Weiguang Wang, Mingxian Wang, Xianjin Feng*, Wei Zhao, Caina Luan, Jin Ma*, Materials Chemistry and Physics 211 (2018) 172-176.
3. Effect of annealing on the structural and optical properties of β-Ga2O3 films prepared on gadolinium gallium garnet (110) by MOCVD, Qiong Cao, Linan He, Xianjin Feng*, Hongdi Xiao, Jin Ma*, Ceramics International 44 (2018) 830–835.
4. Effect of niobium doping on the structural, electrical and optical properties of epitaxial SnO2 films on MgF2 (110) substrates by MOCVD, Linan He, Caina Luan*, Xianjin Feng, Hongdi Xiao, Jin Ma*, Journal of Alloys and Compounds 741 (2018) 677-681
5. Deposition and characterization of epitaxial Ta-doped TiO2 films for ultraviolet photoelectric detectors, Wei Zhao, Linan He, Xianjin Feng, Hongdi Xiao, Caina Luan, Jin Ma*, Ceramics International 44 (2018) 21114–21119.
6. β-Ga2O3 epitaxial films deposited on epi-GaN/sapphire (0001) substrates by MOCVD, Qiong Cao, Linan He, Hongdi Xiao, Xianjin Feng, Yuanjie Lv, Jin Ma*, Materials Science in Semiconductor Processing, 77 (2018) 58–63.
7. Preparation and characterization of transparent indium-doped TiO2 films deposited by MOCVD, Wei Zhao, Weiguang Wang, Xianjin Feng, Linan He, Qiong Cao, Caina Luan, Jin Ma*, Ceramics International 43 (2017) 8391–8395.
8. Effect of Sn content on the structural and photoelectric properties of IATO films, Xuejian Du, Weiguang Wang, Mingxian Wang, Xianjin Feng, and Jin Ma*, J Mater Sci (2017) 52:367–374.
9. Structural, electrical and optical properties of In doped brookite TiO2 thin films deposited on YSZ (110) substrates by MOCVD, Weiguang Wang, Wei Zhao, Xianjin Feng**, Linan He, Qiong Cao, Jin Ma*, Journal of Alloys and Compounds 708 (2017) 1195-1200.
10. Synthesis and characterization of structural and optical properties of heteroepitaxial brookite TiO2 single crystalline films, Weiguang Wang, Mingxian Wang, Zhao Li, Xuejian Du, Haisheng Xu, Wei Zhao, Xianjin Feng, Jin Ma*
Scripta Materialia 115 (2016) 75–79.
11. Effect of thermal annealing on the optical and structural properties of γ-Al2O3 films prepared on MgO substrates by MOCVD, hao Li, Jin Ma*, Xianjin Feng, Xuejian Du, Weiguang Wang, Mingxian Wang
Ceramics International 42 (2016) 551–558.
12. Characterization of tunable band gap aluminum indium oxide films prepared on SiO2 (0001) by MOCVD, Xuejian Du, Zhao Li, Caina Luan, Weiguang Wang, Mingxian Wang, Jin Ma*
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, January 2016, Volume 27, Issue 1, pp 599-605
13. Preparation and characterization of single crystalline anatase TiO2 films on LSAT (001) by MOCVD, Mingxian Wang, Weiguang Wang, Zhao Li, Xuejian Du, Xianjin Feng, Haisheng Xu, Wei Zhao and Jin Ma*
RSC Adv., 2016, 6, 4867-4871
14. Zhao Li, Jin Ma *, Cansong Zhao, Xuejian Du, Wei Mi, Caina Luan, Xianjin Feng, Preparation and characterization of Al2xIn22xO3 films deposited on MgO (10 0) by MOCVD, Materials Research Bulletin 67 (2015) 14–19.
15. Weiguang Wang, Jin Ma *, Mingxian Wang, Zhao Li, Xuejian Du, Xianjin Feng, Wei Zhao, Haisheng Xu, Caina Luan, Characterization of anatase TiO2 epitaxial films deposited on YSZ(100) substrates by metal-organic chemical vapor deposition, Materials Letters 161 (2015) 9–12
16. CANSONG ZHAO, ZHAO LI, WEI MI, CAINA LUAN, XIANJIN FENG, and JIN MA*, Structure and Optical Properties of Epitaxial Indium Oxide Films Deposited on Y-Stabilized ZrO2 (111) by MOCVD, Journal of ELECTRONIC MATERIALS, Vol. 44, No. 8, 2015
17. Xuejian Du, Zhao Li, Caina Luan, Weiguang Wang, • Mingxian Wang, Xianjin Feng, Hongdi Xiao, Jin Ma*, Preparation and characterization of Sn-doped b-Ga2O3 homoepitaxial films by MOCVD, J Mater Sci (2015) 50:3252–3257, DOI 10.1007/s10853-015-8893-4
18. Wei Mi, Zhao Li, Caina Luan, Hongdi Xiao, Cansong Zhao, Jin Ma*, Transparent conducting tin-doped Ga2O3 films deposited on MgAl2O4 (1 0 0) substrates by MOCVD, Ceramics International 41 (2015) 2572–2575
19. Electrical and optical characterizations of b-Ga2O3:Sn films deposited on MgO (110) substrate by MOCVD, Wei Mi, Xuejian Du, Caina Luan, Hongdi Xiao and Jin Ma*，RSC Adv., 4, 3 (2014), 30579–30583.
20. Structural and optical properties of β-Ga2O3 films deposited on MgAl2O4 (1 00) substrates by metal–organic chemical vapor deposition，Wei Mi, Jin Ma*, Caina Luan, Hongdi Xiao, Journal of Luminescence 146(2014) 1-5.
近五年发明专利：
1. 一种带隙宽度可调的铝铟氧化物薄膜材料及其制备方法，发明专利号：ZL 2014 1 0036256.8, 发明人：马瑾 李钊 栾彩娜，申请时间：2014-1-26, 批准日期 2016,4,6
2. 一种在氧化镁衬底上制备单斜晶型氧化镓单晶薄膜的方法， ZL2010 1 0531195.4发明专利 发明人：马瑾 孔令沂 栾彩娜 申请时间：2010-11-4 批准日期 2012,2,1
3. 一种氧化铟单晶外延薄膜的制备方法 ZL2008 1 0014907.8 发明专利，发明人：马瑾 杨帆 栾彩娜 申请时间：2008-3-31 批准日期 2012,2,1
4. 一种在钇掺杂氧化锆衬底上制备立方结构氧化铟单晶薄膜的方法，ZL2010 1 0141341.2 发明专利；发明人： 马瑾；孔令沂；栾彩娜，申请时间 2010.04.08，批准日期2011.06.01。
专著：《透明氧化物半导体》，中国科学出版社，北京 Oct-14 474 ISBN 978-7-03-041664-3 半导体科学， 作者：马洪磊，马瑾
享受政府特殊津贴。
通信地址：济南市 山大南路 27号，光电材料与器件研究所
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